Tüm anıların yerini alacak mükemmel anı yüzünü gösterdi
![](https://haberakcakoca.com.tr/wp-content/uploads/2024/02/tum-anilarin-yerini-alacak-mukemmel-ani-yuzunu-gosterdi-JiibAhNr-780x470.jpg)
Geleneksel sabit disk (HDD) teknolojisine alternatif olarak geliştirilen SSD teknolojisinin depolama çözümlerinde önemli bir devrim yarattığını kabul etmek gerekir. Artık depolama ve bellek teknolojilerinde yeni bir devrimin eşiğinde olabiliriz.
Endüstriyel Teknoloji Araştırma Enstitüsü (ITRI)Ve Tayvan Yarı İletken Üretim Şirketi (TSMC)ilk olarak 2022’de duyurulan ortak geliştirme programının sonucudur. SOT-MRAM(döndürme-yörünge torku manyetik rastgele erişim belleği) çipinin oluşturulduğunu duyurdu.
STT-MRAM’a (döndürme-aktarma-torklu MRAM) alternatif olarak tanıtılan yeni SOT-MRAM, bellek mimarilerinde bilgi işlem ve yüksek yoğunluklu son düzey gömülü önbellek uygulamaları için bir alternatif olarak hizmet edecek. Üstelik bunu yaparken selefinin tükettiği elektriğin yalnızca %1’ine ihtiyaç duyacak.Bütün bunlar yetmezmiş gibi yeni RAM’lerin DRAM’den daha hızlı olduğu söyleniyor.
ITRI ve TSMC, 2023 IEE Uluslararası Elektron Cihazları Toplantısı’nda (IEDM 2023) bu mikroelektronik bileşen hakkında yeni bir araştırma makalesi yayınladı. ITRI Elektronik ve Optoelektronik Sistemler Araştırma Laboratuvarları Genel Müdürü Dr. Shih-Chieh Chang , “Geçen yıl VLSI Teknoloji ve Devreler Sempozyumu’nda sunulan ortak bildirilerin ardından birlikte bir SOT-MRAM birim hücresi daha geliştirdik. Bu prototip hücre, 10 nanosaniyeye varan hızlara ulaşarak düşük güç tüketimiyle yüksek hızda çalışma sağlıyor. Yeni bellek devresi bilgi işlemeyi entegre eder “Entegre edildiğinde genel bilgi işlem performansı daha da artırılabilir. İleriye baktığımızda, bu teknolojinin yüksek performanslı bilgi işlem (HPC), yapay zeka, otomotiv çipleri ve diğer birçok alanda uygulama potansiyeli var.”
Öte yandan bu teknoloji yarın piyasaya çıkmaya hazır değil. SOT-MRAM, SRAM’a göre daha düşük bekleme gücü sunarken, yazma işlemleri için yüksek akımlar gerektirdiğinden dinamik güç tüketimi oldukça yüksektir. Ek olarak, SOT-MRAM hücreleri hala SRAM hücrelerine göre daha büyüktür ve üretimi daha zordur. Sonuç olarak, SOT-MRAM teknolojisi umut verici görünse de yakın zamanda SRAM’ın yerini alması pek mümkün görünmüyor. Yine de bellek içi bilgi işlem uygulamaları için SOT-MRAM, şimdi olmasa da yakın gelecekte uygun maliyetli bir şekilde üretilebildiğinde çok popüler bir çözüm haline gelecek gibi görünüyor.